缩写	英文全称	中文解释	技术说明/应用领域
O₂	Oxygen	氧气	常用于等离子去胶（Ashing）、热氧化生成SiO₂，但也是一种需严格控制的污染物（AMC）。
O3	Ozone	臭氧	强氧化剂，用于光刻胶去除（如DIO3：去离子水臭氧混合液）和表面预处理。
OHT	Overhead Hoist Transport	空中走行式无人搬送车	晶圆厂自动化物料搬运系统（AMHS）的核心，沿天花板轨道运输FOUP。
OPC	Optical Proximity Correction	光学邻近效应校正	通过预先修正掩模版上的图形形状，来补偿光刻过程中的光学衍射效应。
OPD	Optical Proximity Detector	光学近距传感器	用于光刻机中实时监测晶圆高度和水平，确保聚焦精度。
OPEX	Operational Expenditure	运营成本	晶圆厂日常运营的成本，包括设备维护、耗材、人力、水电等。
OR	Overlap Region	重叠区	在多重曝光技术中，不同曝光区域之间的重叠部分，需要准确控制。
OSAT	Outsourced Semiconductor Assembly and Test	外包半导体封装与测试	提供芯片封装、测试服务的第三方厂商，如日月光（ASE）、安靠（Amkor）。
OSF	Oxidation-Induced Stacking Fault	氧化诱生层错	硅片在高温氧化过程中产生的晶体缺陷，影响器件性能和良率。
OTA	Optical Tilt Adjuster	光学倾角调节器	光刻机中的组件，用于调整光束的入射角度，优化成像质量。
OTC	Over The Counter	非处方（化学品）	指无需特殊许可即可购买和使用的化学品，但与高风险工艺化学品相对。
OU	Operating Unit	运营单位/操作单元	工厂管理中的基本生产或成本核算单位。
OUTGAS	Outgassing	放气/释气	材料在真空环境中释放出挥发性物质的现象，是EUV光刻中掩模污染的主要风险。
OVL	Overlay	套刻精度	衡量前后两次光刻图形对准精度的关键指标，EUV时代要求小于2nm。
OWC	Optical Window Check	光学窗口检查	对光刻机光学系统性能的定期检测和校准。
OWD	Optical Window Defect	光学窗口缺陷	光刻机透镜或掩模版上的缺陷，会导致成像不良。
O₂ Plasma	Oxygen Plasma	氧等离子体	主要用于光刻胶的去除（Ashing）和表面清洗。
O₂ Anneal	Oxygen Annealing	氧气退火	在氧气氛围中进行的热处理，常用于修复氧化层缺陷或调整薄膜特性。
OCAP	Out-of-Control Action Plan	失控行动方案	当SPC（统计过程控制）检测到工艺失控时，预先制定的纠正措施流程。
OCM	Optical Critical Dimension Metrology	光学关键尺寸量测	使用光学散射仪等非破坏性方法测量图形的关键尺寸（CD）。
OES	Optical Emission Spectroscopy	光学发射光谱	通过分析等离子体发光光谱来实时监控刻蚀或沉积工艺的终点和状态。

PM	Preventive Maintenance	预防性维护	定期对生产设备进行计划性保养，以减少突发故障。
PMOS	P-channel MOSFET	P沟道MOSFET	由空穴作为载流子的MOSFET，源漏一般注入B（硼）或BF₂。
POU	Point-of-Use	使用点/机台点	指在设备就近进行处理，如POU Abatement（机台尾气即时处理）。
PPB	Parts Per Billion	十亿分之一浓度	衡量超纯水、气体、化学品中杂质含量的单位。
PPID	Plasma Process Induced Damage	等离子体工艺诱导损伤	等离子体中的带电粒子对栅氧等脆弱结构造成的损伤。
PPM	Parts Per Million	百万分之一浓度	衡量化学品、气体中杂质含量的常用单位。
PR	Photoresist	光刻胶	光刻工艺的核心材料，分为正胶和负胶。
PSG	Phosphosilicate Glass	磷硅玻璃	含磷的二氧化硅玻璃，常用于钝化层，具有吸杂和平坦化作用。
PSM	Phase-Shift Mask	相移掩模	利用光波相位差来增强分辨率的先进掩模，用于成像密集图形。
PVD	Physical Vapor Deposition	物理气相沉积	通过溅射或蒸发沉积金属薄膜（如Al, Cu, TiN）的工艺。
PVA	Polyvinyl Alcohol	聚乙烯醇	一种水溶性聚合物，可用于临时键合材料或光刻辅助层。
PVDF	Polyvinylidene Fluoride	聚偏氟乙烯	一种压电聚合物材料，可用于MEMS传感器。
PVD-SiO2	Physical Vapor Deposition SiO2	物理气相沉积二氧化硅	通过溅射沉积SiO₂薄膜，一般致密性不如CVD。
P-Well	P-Type Well	P型阱	在N型衬底上形成的P型掺杂区域，用于容纳NMOS晶体管。
PZT	Lead Zirconate Titanate	锆钛酸铅	一种重大的铁电和压电材料，用于FeRAM、MEMS致动器。

缩写	英文全称	中文解释	技术说明/应用领域
P	Phosphorus	磷	N型掺杂剂，用于形成NMOS的源漏（N⁺ SD）和N-Well。
P⁺	P-type Heavy Doping	P型重掺杂	指高浓度的P型掺杂区域，如PMOS的源漏（Source/Drain）区。
P2L	Pad-to-Line	焊盘到线路	封装中连接焊盘和内部布线的结构。
PAG	Photo Acid Generator	光致产酸剂	化学放大光刻胶（CAR）的核心成分，曝光后产生酸催化剂。
PBA	Post Bake Annealing	烘后退火	在涂胶后进行的低温热处理，用于去除溶剂、稳定光刻胶。
PBTI	Positive Bias Temperature Instability	正偏压温度不稳定性	NMOS器件的可靠性问题，栅极正偏压和高温下导致阈值电压漂移。
PC	Process Control	过程控制	通过SPC、FDC等方法监控和维持工艺稳定性。
PCB	Printed Circuit Board	印制电路板	承载和互连芯片的基板，与半导体前道工艺区分。
PCM	Process Control Monitor	工艺控制监测	晶圆上的测尝试形/结构，用于在线量测电性参数（如电阻、电容）。
PECVD	Plasma-Enhanced CVD	等离子体增强化学气相沉积	利用等离子体在低温（≤400°C）下沉积介质薄膜（如SiO₂, SiN）。
PEDOT:PSS	Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polystyrene Sulfonate	聚(3,4-乙撑二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐	一种导电聚合物，用于有机电子器件、生物传感器的透明电极。
PEEK	Polyether Ether Ketone	聚醚醚酮	一种高性能工程塑料，用于制造耐高温、耐化学品的晶圆载具。
PEG	Polyethylene Glycol	聚乙二醇	一种表面活性剂，可用于CMP浆料或湿法清洗工艺。
PEI	Polyethylene Imine	聚乙烯亚胺	一种有机材料，可用于半导体加工中的表面改性或临时键合层。
PEL	Pellicle	防护膜	覆盖在光刻掩模版上的超薄膜，保护掩模免受污染（EUV Pellicle尤为关键）。
PEM	Photo Elastic Modulator	光弹调制器	一种光学调制器件，用于精密量测系统。
PGMEA	Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate	丙二醇甲醚醋酸酯	最常用的光刻胶溶剂，沸点146°C，影响涂布均匀性。
PH3	Phosphine	磷化氢	剧毒气体，N型掺杂源，用于外延或离子注入。
PI	Polyimide	聚酰亚胺	高性能聚合物，用于芯片的应力缓冲层、钝化层或柔性封装。
PIC	Photonic Integrated Circuit	光子集成电路	将光学器件集成在芯片上，用于光通信、传感。
PJ	Plasma Jet	等离子体喷射	一种局部等离子体处理技术，可用于清洗或表面活化。
PKG	Package	封装	保护芯片并提供电气连接与散热的最终成品。
PL	Photoluminescence	光致发光	用于材料质量评估的无损检测方法，通过分析发光谱判断缺陷。
PLC	Planar Lightwave Circuit	平面光波导电路	在衬底上制作的光波导器件，是PIC的一种。

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